Postup výroby thick film vrstev je schematicky na následujícím obrázku (lze zvětšit). Jsou na něm dvě základní metody: leptání (substractive etching) a nebo vyřezávání (pattern electroplating) vzoru.
Leptání: Cu/Cr/Cu materiál je chemicky leptán, části nekryté fotorezistem jsem odstraněny. Z podstaty leptání vyplývá, že dochází k mírnému vyleptání i pod fotorezistem (je vidět na obrázku). Při leptání vrstev 3-6um bylo dosaženo zaleptání asi 1.2x tloušťka vrstvy. Chromová vrstva tlustá 250 Å má dva významy. Zaprvé zlepšuje přilnavost a za druhé umožňuje díky svým reflexním vlastnostem lepší kontrolu. Měď je leptána rozstřikovaným roztokem amonium persulfátu. Důležitá je kontrola zaleptání, i při dobré kontrole dochází k variabilitám tloušťky +-5um.
Při vyřezávání lze kontrolovat zhruba s přesností na +-3um, což je dáno vlastnostmi fotolitografie. Měď je pro vodivé vrstvy vybírána pro její příznivé vlastnosti. Tato technologie je však dražší a náročnější proto se používá méně.

Jak je vidět z výše napsaného, technologií výroby thin/thick vrstev je mnoho. Jedna z nich je také zmíněna v úvodním článku.

Výsledný obvod pak vypadá třeba takto:

Technologie pro výrobu/montáž analogových součástek
Jedná se o montáž v podstatě na stejný typ substrátů. Připevňované součástky mají v tomto případě ale trochu jiné dimenze, tedy nejedná se o technologii tak náročnou jako v předchozím případě.
Technologie thic film je zde využívána především k výrobě propojení součástek. Taktéž rezistory jakožto samostané součástky jsou vyráběny technologií thick film. (obrázky lze zvětšit)

Výsledný hybridní obvod pak vypadá zhruba tak, jak ukazuje následující obrázek. Na substrátu (Al, keramika atd.) jsou v tomto případě připevněny z jedné strany křemíkový čip (integrovaný obvod), tenkovrstvý rezistor a další součástky, oddělené izolací, případně překryté ochranou skleněnou nebo jinou vrstvou. Z druhé strany pak je např. vícevrstvý kondenzátor.